报告主题：常温异质键合：突破高温限制的先进集成技术

报告嘉宾：梁剑波（教授，大阪公立大学）

时 间：2025年3月28日（周五）下午2-3点

地 点：粤海校区校友广场307

报告人简介

梁剑波，大阪公立大学教授、博士生导师，长期从事半导体异质集成技术、先进封装技术及异质集成装备制造的研究，主要聚焦于半导体材料的异质集成。目前的研究方向包括金刚石、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等异质半导体材料的直接键合，高导热异质界面，异质界面的晶体结构及大功率高效新型半导体器件的研发。近年来，他主持了多个国家级研发项目，包括由日本学术振兴会（JSPC）、日本国立研究开发法人新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）、日本科学技术振兴机构（JST）等机构资助的国家重点研发课题，以及多个企业合作研发项目，累计12项。其中，部分研究成果已成功实现产业化。他还与国内外10余家知名科研院所展开了广泛的技术合作。在学术成果方面，作为第一作者、通讯作者或指导学生，他在国际顶级期刊"Advanced Materials"、"Nature Communications"、"Applied Physics Reviews"、"Small"、"Applied Physics Letters"等发表论文150余篇，并申请了12项专利。此外，他曾在41次国际学术会议上发表演讲，并受邀在20次国际会议上作报告，多次荣获最佳论文发表奖。他还曾荣获大阪市立大学南部阳一郎（诺贝尔物理学奖获得者）颁发的优秀研究奖，以及知名期刊的优秀审稿奖等多个学术荣誉。目前，他担任"Functional Diamond"和"Science Talks"期刊的编委，并兼任"Advanced Materials"、"ACS Applied Materials & Interfaces"、"ACS Nano Letters"、"Applied Physics Letters"等13家国际期刊的审稿人。

报告内容简介

半导体材料的键合技术已广泛应用于新型材料集成、先进工艺开发以及三维芯片等前沿领域。然而，传统键合技术在器件制造过程中仍面临诸多挑战，如高温处理对材料性能的影响、器件结构的设计限制以及量产工艺中的效率瓶颈。为解决上述问题，常温键合技术应运而生。该技术通过对材料表面进行纳米级处理以形成悬空键（dangling bonds），在常温条件下实现不同半导体材料间的异质集成，为半导体器件制造开辟了新的路径，有效规避了高温工艺可能带来的材料损伤与界面缺陷。我团队在常温键合技术的研发与应用方面取得了重要突破。通过创新性的表面活性化工艺与高精度键合装备的结合，成功实现了第一代至第三代半导体材料（如Si、GaAs、SiC、GaN等）在常温条件下的高质量直接集成。该技术在提升功率器件性能和优化热管理结构设计方面表现出显著优势，为高效能电子器件的发展提供了全新解决方案。随着技术的持续迭代与工程化验证的推进，常温键合技术有望进一步推动半导体产业的结构性升级与技术变革，并为下一代高性能电子器件和先进封装技术的发展提供坚实的工艺与材料基础。

欢迎有兴趣的师生前来参加！

材料学院

2025年3月24日

撰稿：张晓颖、刘新科 审核：王东、王雷