报告主题：基于离子束剥离和键合技术的宽禁带半导体异质集成材料与器件
报告嘉宾：游天桂(研究员中国科学院上海微系统与信息技术研究所)
时 间：2025年3月28日（周五）下午3-4点
地 点：粤海校区校友广场307
报告人简介
游天桂，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，国家级青年人才，2016年在德国开姆尼茨工业大学取得博士学位，攻读博士学位期间德国HZDR研究中心、IFW Dresden研究所开展离子束材料改性及应用相关工作，2016年底加入中国科学院上海微系统与信息技术研究所，先后任助理研究员、副研究员、研究员，主要从事基于离子束技术的化合物半导体异质集成材料与器件研究。游天桂入选WR计划青年拔尖人才、中国科学院首批特聘骨干研究员、中国科协“青年人才托举工程”、上海市“青年科技启明星”、上海市“科技青年35人引领计划”等，已发表研究论文100余篇，申请国内外发明专利90余件，其中授权国内外专利60余件。作为负责人承担了国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金项目、上海市科技创新行动计划等研究任务。
报告内容简介
随着集成电路技术的不断发展，传统平面晶体管技术已经不能满足器件尺寸微缩和高度集成的需求。将不同半导体材料进行单片式异质集成，已经成为国际微电子领域研究的热点，这也是我国集成电路技术进入3-5纳米节点后实现差异化发展路线的重要方向。在材料异质集成方面，传统的异质外延生长方法存在着晶格失配、晶型失配、互扩散与反相畴等多种物理失配问题，严重影响了薄膜质量和异质集成的灵活性。离子束剥离与转移技术是有别于传统外延生长的一种新颖的单晶薄膜制备与异质集成技术。该技术可以从任意单晶衬底上剥离厚度在纳米尺度的薄膜，并通过异质晶圆键合技术将其与异质材料进行组合，为研制高质量异质集成材料提供了简单、高效的手段。本工作基于离子束剥离与转移技术制备了GaNOI、高导热Ga2O3等异质集成材料体系，并实现高性能功率、射频器件等。研究结果表明离子束剥离与转移技术可以发展成为制备宽禁带半导体异质集成材料的通用技术。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
材料学院
2025年3月17日
撰稿：张晓颖、刘新科 审核：王东、王雷
