报告主题：碳化硅外延和器件技术进展
报告嘉宾：钮应喜，中科院半导体所
时 间：2024年5月28日（周二）下午2点
地 点：材料学院汇星楼B120
报告人简介
钮应喜，西安电子科技大学博士，教授级高级工程师，第六届CASA第三代半导体卓越创新青年；安徽“第三代半导体材料与器件”产业创新团队带头人；安徽省技术领军人才；芜湖市战略新兴产业优秀人才；国际IEC及SEMI化合物标准会委员；全国半导体器件、全国半导体材料标准委员会委员。从事碳化硅材料和器件研制和产业化；承担多项国家级、省级科研重大项目；申请国家专利100余项；编制多项国际、国家标准、行业标准以及团体标准；发表论文40余篇；参编2部专著。
报告内容简介
随着新能源汽车、储能、轨道交通、电力系统等应用的发展应用，第三代半导体碳化硅材料由于具备耐高压、耐高温及高效率等优势，近几年得到资本和产业的推动，技术也得到了快速发展。
本报告中，我们介绍了碳化硅外延材料生长、器件设计结构和器件制备的关键技术。报告首先介绍碳化硅的应用市场，然后介绍外延近几年的技术进展，为了提升效率开发的cl基生长体系；未来降低成本，多片机外延技术也进入产业化；面向高压器件，为了解决厚膜外延的少子寿命低的问题，开发了超高温氧化工艺。在碳化硅器件方面，为了提升性能在二极管结构从SBD、MPS等结构的演化及关键技术。碳化硅MOSFET方面，介绍了平面以及沟槽型器件的结构和关键技术，以及在p型衬底缺少的状况下万伏级碳化硅器件的制备技术如何，以及未来新技术探讨。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
材料学院
2024年5月27日
撰稿：刘新科、张晓颖 审核：王东、王雷
