报告主题：宽禁带氮化物半导体材料外延及光电器件
报告嘉宾：魏同波（研究员，中科院半导体研究所研究员）
时 间：2023年5月20日（周六）上午10:00
地 点：汇星楼B120
报告人简介
魏同波，中科院半导体研究所研究员，博士生导师。2007年于中国科学院半导体研究所获得博士学位，随后在半导体所照明研发中心工作至今，2015年-2016年在美国康奈尔大学电子工程与计算机学院访问学习。长期从事宽禁带半导体氮化物光电子材料外延与器件研究，包含大失配体系异质外延、新型微纳光电器件、深紫外发光与探测、紫外通讯等。作为项目首席先后主持国家重点研发计划2项，主持国家自然基金5项、北京自然基金3项、863子课题2项等十余项课题。作为第一或通讯作者在Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Light Sci. Appl.、Adv. Funct. Mater.、Adv. Sci.等杂志发表SCI论文90余篇，20余项发明专利获得授权，出版氮化物专著1部。担任Journal of Semiconductors编委、发光学报青年编委。
报告内容简介
以GaN为代表的氮化物半导体材料发光波长可覆盖深紫外至红外的各个波段区间，在照明、显示、医疗、通信等领域具有广泛的应用前景。然而氮化物半导体通常采用异质外延方法获得，大的晶格失配和热失配在外延层中产生了高密度位错和强应变，严重影响器件光电性能。我们近年来系统研究大失配异质体系的应力调控和氮化物外延生长动力学，围绕强极化半导体异质结构能带调控和光子传输等科学问题，系统研究了光电器件中电子、光子行为规律，有效提升了器件光电转换效率。本报告介绍利用准范德华外延、3D微纳结构解决强极化、大失配外延体系中高位错和应变，发展柔性器件。同时介绍Micro-LED和光电集成器件在显示、通信等领域的应用，结合压电光耦合效应、等离激元等提升通信带宽和显色指数。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
材料学院
2023年5月11日
