报告主题：紫外光电器件片上集成技术研究
报告嘉宾：魏同波（研究员、中科院半导体研究所）
时 间：2022年12月23日（周五）下午3:30-4:30
地 点：腾讯会议（108507778）
报告人简介
魏同波，中科院半导体研究所研究员，博士生导师。长期从事氮化物光电子材料与发光器件研究，作为项目首席先后主持国家重点研发计划2项，主持国家自然基金5项、北京自然基金3项、863子课题2项等十余项课题。作为第一或通讯作者在Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Light Sci. Appl.、Adv. Funct. Mater.、Adv. Sci.等杂志发表SCI论文90余篇，20余项发明专利获得授权，出版氮化物专著1部。担任Journal of Semiconductors编委、发光学报青年编委。
报告内容简介
随着紫外光通信、灭菌、生化检测和片上光子系统筹应用的不断发展，基于AlGaN材料的多量子阱发光二极管目前已成为片上多组件光电集成领域的研究热点。我们制备了LED、PD和波导集于一体的深紫外光电集成芯片，其中PD在0V偏置下对相应LED的响应度、开关比和探测率分别为186 A/W、107和2.54×1014 Jones，反映出PD对沿波导传播的光信号具有足够的光敏性。同时我们在CMOS兼容的SiO2/Si(100)衬底上通过石墨烯缓冲层，实现了单晶GaN和蓝光多量子阱，进而获得了开关比103的自驱动光电集成器件。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
材料学院
2022年12月21日
