报告主题：氮化镓微波肖特基二极管的研究与应用
报告嘉宾：敖金平（二级教授，江南大学）
时 间：2022年12月15日（周四）下午3:30-4:30
地 点：腾讯会议（142991019）/B2-536
报告人简介
敖金平，江南大学教授，博士生导师，国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员。1989年毕业于武汉大学物理系，获理学学士学位，1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位，2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师，从事 GaAs高速电子器件、集成电路和光电集成电路的研究工作。主持过863计划、预研和国家攻关计划等国家级项目多项。2001年赴日本国立德岛大学工作，从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。2012年起任该大学大学院技术与科学研究部准教授。主持或参与过日本科学研究辅助金、JST、SCOPE和NEDO等多个项目的研究。与丰田、住友电工、日亚化学等日本著名公司有多年的合作关系。2016年入选国家高层次人才计划，任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。作为项目负责人，完成了国家十三五重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“GaN基新型电力电子器件关键技术”项目。2022年加入江南大学，任二级教授。在国际学术期刊和国际会议上发表论文300多篇，拥有二十多项发明专利。获电子工业部科技进步奖三等奖、陕西省科学技术奖一等奖。
报告内容简介
氮化镓是最重要的宽禁带半导体之一，已经用在短波长发光二极管和激光器上，也将是下一代高频、高功率和高温电子器件的关键材料。基于微波的无线电力传输技术，是一个正在兴起的技术。本报告针对低功率微波整流应用，设计和制造了准垂直结构的GaN肖特基二极管。采用重掺杂外延层和图形化的肖特基阳极，降低了GaN SBD的串联电阻。对于反向击穿电压50V的器件，开启电阻为1.45Ω，结电容为0.87 pF。设计并测试了微波整流电路。源于优秀的二极管器件性能和微波电路设计，在工作频率905 MHz和输入功率23 dBm的条件下，转换效率达到92%。在2.45 GHz和输入功率25 dBm的条件下，转换效率达到91%。在905 MHz工作频率下，实现了传输距离3米，发射和接收功率分别为39 dBm和12.5 dBm。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
材料学院
2022年12月12日
