报告主题：面向5G芯片的异质集成材料与器件研究
报告嘉宾：欧欣（研究员，中国科学院上海微系统与信息技术研究所）
时 间：2022年12月14日（周三）上午11：00
地 点：腾讯会议(601976608)
报告人简介
欧欣，中国科学院上海微系统与信息技术研究所二级研究员，硅基材料与集成器件实验室主任，博士生导师，国家级领军人才，国家重点研发计划、基金委信息学部重大项目（基于智能剥离技术的晶圆级异质集成材料与器件）负责人、在硅基SOI材料技术的基础上面向5G声、光、电核心芯片对异质集成材料的重要需求，发展“万能离子刀”异质集成XOI材料与器件技术，并应用于射频、光电和功率芯片，先后发表SCI/EI论文140余篇，其中第一/通讯作者在Nature Com.、PRL、Adv. Mater.、Nanoletters、IEDM等著名期刊和国际顶会发表论文110余篇，申请专利170件，授权70余件、转化42件。先后获得中国青年科技奖、北京市科技进步一等奖、中国产学研合作创新奖、中国光学十大进展、中国半导体研究十大进展提名奖、中国电工学会科技进步奖、全国颠覆性创新技术大赛优胜奖，国际IEEE微波奖、国际离子束与材料改性杰出贡献奖IBMM Prize、国际离子注入技术青年科学家奖、德国亥姆霍兹HZDR研究中心年度研究奖等荣誉。
报告内容简介
高端硅基材料是集成电路先进工艺与5G芯片发展的基石，本报告将重点介绍课题组在新型异质集成SOI材料及器件，如 SiCOI、LNOI、III-VOI、GaOOI等研究进展，通过SOI材料技术实现新型半导体材料（III-V族、宽禁带半导体以及功能薄膜）的硅基异质集成。通过建立异质材料制备技术体系，为后摩尔时代核心光子、电子及量子器件（色心等）及多种功能器件（声、光、电）的单芯片集成提供关键材料平台。
异质集成可以充分利用不同半导体材料及其他功能材料特殊的能带结构和物理性能，一方面可以制造频谱更宽阔、功能更丰富、性能更优异的微电子和光电子器件，另一方面可以实现分立器件的单芯片集成，推动电子系统向小型化、集成化方向发展。本报告面向化合物半导体、宽禁带半导体材料、各种功能薄膜与硅及其它衬底的晶圆级异质集成问题展开，重点介绍独立于传统薄膜生长方法之外的一种更为灵活的单晶薄膜制备与异质集成技术——智能剥离与转移技术。结合实验和理论模拟建立异质集成材料制备的物理模型和工艺方法。在此基础上，开发了晶圆级新型光电异质集成材料与器件。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
材料学院
2022年12月7日
