基于硼氮的多重共振(MR)发光材料由于具有高荧光量子产率、窄谱带发射等优良的光物理性质,成为目前OLED发光材料的研究热点。目前兼具高效率、高色纯度的蓝光和绿光OLED器件已有报道。然而,由于硼氮MR分子的结构限制,开发高性能窄谱带纯红光材料仍具有相当大的挑战性。
针对上述问题,深圳大学杨楚罗教授课题组提出了一种简单有效的“双硼氮氧”多重共振分子设计策略,构筑了一类窄谱带红光发光材料,这一类发光材料不仅能方便的合成和衍生,还具有优良的光物理性能,包括高的光致发光量子产率(97%)、极快的辐射跃迁速率(7.4 ⅹ 107s-1),以及窄的半峰宽(32 nm)。基于这类发光材料制备的纯红光OLED器件外量子器件效率高达36.1%,是目前报道的红光OLED器件效率最高值,性能显著优于传统的磷光和给受体型热活化延迟荧光材料OLED。与此同时,此OLED器件还具有极低的效率滚降(亮度50000 流明时外量子效率仍高达25.1%),超高的亮度(高达135000流明),以及优良的器件稳定性。这一工作对开发高效红光发光材料以实现高性能全色OLED显示具有重要的意义。
相关成果以标题“High Performance Narrowband Pure-Red OLEDs with External Quantum Efficiencies up to 36.1% and Ultra-Low Efficiency Roll-Off”发表于Advanced Materials(影响因子30.849,中科院JCR一区,材料领域的TOP期刊),该论文第一作者为深圳大学材料学院邹洋助理教授,杨楚罗教授为独立通讯作者,深圳大学材料学院为唯一完成单位。
全文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi /10.1002/adma.202201442。
近来,杨楚罗教授团队在窄谱带OLED发光材料和器件上取得了系列重要进展。深蓝光OLED色坐标为(0.14, 0.08),半峰宽为23 nm,外量子效率可达37.6%,是目前国际上深蓝光OLED器件效率的最高值,发表在Angew. Chem. Int. Ed.(影响因子15.336,中科院JCR一区,TOP期刊,全文链接: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202201588)。天蓝光OLED器件实现了40%的发光效率,创造了目前国际上窄发射OLED器件效率的纪录,发表在Advanced Materials(影响因子30.849,中科院JCR一区,TOP期刊,全文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202106954)。