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材料学院学术报告二十九:III-V族氮化物半导体能源及新型光电子器件   2018/9/13 8:24:31   浏览次数:176

报告主题:III-V族氮化物半导体能源及新型光电子器件

报告嘉宾:桑立雯,研究员(日本国立材料研究所)

  间:2018925日(周二)上午10: 00

  点:材料学院534会议室

 报告人简介

 

 

桑立雯博士,日本国立材料研究所,独立研究员(永久职位)。桑立雯博士于2010年在北京大学取得博士后学位后赴日本国立材料研究所从事博士后研究,研究方向为氮化物半导体材料外延生长及太阳能电池研究。两年后进入该研究所国际青年科学家研究中心进行独立研究工作。2012年获得日本JST青年科学家项目资金资助。2014年经考核取得国立材料研究所永久职位,研究方向为氮化物半导体材料外延生长及新型光电器件制备。2016年加入天野・小出实验室,从事氮化物半导体功率电子器件研发。

III-V族氮化物半导体具有宽且可调的直接带隙,大的击穿电场,较高的电子迁移率及优异的物理化学稳定性,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。氮化物半导体蓝光LED的发明更是在2014年获得了诺贝尔物理学奖。近年来,GaN基功率电子器件更是受到了学术界和产业界的高度重视。由于日本GaN自支撑衬底的高速发展,垂直结构的功率电子器件更是形成了新的研发热点。

本报告将介绍日本国立材料研究所在氮化物材料外延生长尤其是在能源和光电器件的外延生长和器件制备上的进展,以及提出的新型器件结构和概念,也会详细介绍在功率电子器件研究方面的一些研究进展。

 

欢迎有兴趣的师生前来参加!

材料学院

2018912

 
 
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