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材料学院学术报告三十八:Vacancy-induced Magnetic Impurities in Few-layer MoS2 for Achieving Ultrahigh   2018/11/30 9:55:34   浏览次数:12

报告主题:Vacancy-induced Magnetic Impurities in Few-layer MoS2 for Achieving Ultrahigh Thermoelectric Power factor

报告嘉宾:吴靖研究员新加坡国立大学

    间:20181129日(周上午9: 30

      点:科技楼B120会议室

 报告人简介

 

吴靖研究员于2010年获得浙江大学物理学学士学位。在BarbarosÖzyilmaz教授的指导下,2015年在新加坡国立大学获得物理学博士学位。 吴研究员于2014年加入先进二维材料中心担任研究助理。后来他于2015年加入新加坡国立大学电气与计算机工程系,担任研究员。 2016年,他加入A * STAR的材料研究与工程研究所(IMRE),现任研究员。

二维(2D)纳米片中的局部磁性杂质对电荷传输具有深远影响,因此根据需要操纵热电性质。然而,2D材料系统对外部波动和乱层界面极其敏感,这些界面掩盖了这些杂质的固有特性,因此,在实验水平上,探测磁性杂质与热电参数的相关性是非常具有挑战性的。在他的工作中,证明了通过将二硫化钼置于六方氮化硼衬底上,在硫空位附近观察到导电子带的巨大自旋分裂达到~50.0±5.0meV,证明存在大的诱导局部磁状态。在器件环境中,通过Kondo(近藤)效应与局部磁缺陷强烈相互作用,大部分电子异常地散射回热侧,导致高导电n型MoS2中的大的正塞贝克系数。此外,根据外部电场调制,任何材料中的功率因数最高可达50mW / m∙K2

吴研究员的兴趣领域是进行/光电子传输的实验研究,以及纳米级器件物理学的研究。 他的专注于纳米器件制造和低温测量。 他目前的研究工作主要集中在薄膜MoS2和黑磷的热电输送上。

 

欢迎有兴趣的师生前来参加!

 

材料学院 

2018年11月21

 
 
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