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海峡两岸氮化镓同质外延材料、器件、应用研讨会   2018/1/3 9:41:27   浏览次数:118

  

 

    在深圳市高层次人才联谊会和深圳大学材料学院共同主办,深圳市科技开发交流中心协办的“深圳市新材料新能源产业发展研讨会”框架的支持下,专题“海峡两岸氮化镓同质外延材料、器件、应用研讨会”的筹备工作进展顺利。根据海峡两岸在氮化镓同质外延材料、器件、应用等方面的进展,邀请海峡两岸科学家和产业界代表做专题报告,建立从基础研究到产业化的沟通渠道,促进产业链上下游的协同发展。本次专题报告共7个,我们诚挚邀请各界人士出席2018年 1 月 8 日在深圳市深圳大学举办的“海峡两岸氮化镓同质外延材料、器件、应用研讨会”,进行交流。

 

地点:深圳大学后海校区图书馆北馆二楼会议室(30人左右)

 

时间:2018年1月8日下午1:45-5:45

 

联系人:刘新科博士(18566212619)

 

时间

报告人

单位/称号

报告题目

1:45-2:00

材料学院院长领导致词

2:00-2:30

徐科

中国科学院苏州纳米所, 国家杰出青年基金获得者、中组部千人计划入选者

大面积同质氮化镓材料的研究进展报告

2:30-3:00

敖金平

西安电子科技大学, 中组部千人计划入选者

Development of GaN Schottky barrier diodes for microwave power transmission

3:00-3:30

陆海

南京大学 长江教授、国家杰出青年基金获得者杰青

GaN同质外延与器件应用思考

3:30-3:45

茶歇

3:45-4:15

郭浩中

台湾交通大学 IEEE Fellow, OSA Fellow, SPIE Fellow, IET Fellow

Recently progress of GaN based microled and VCSEL on GaN substrate

4:15-4:45

邱显钦

长庚大学 教授

High-Voltage Vertical GaN p–n Diode With N2O Treatment

4:45-5:15

刘新科

深圳大学 副研究员 孔雀人才B类

GaN-based devices (diodes and HEMTs) on free standing wafer

5:15-5:45

陈志涛

广东省半导体产业技术研究院 副院长

广东省科学院在GaN方面的布局和进展

 

邀请参加单位名单如下:

 

深圳市科技创新委, 深圳市光明新区政府相关人员, 松禾资本, 陕西省集成电路产业投资基金, 青木基金, 青铜剑科技股份有限公司,方正微电子科技有限公司,南方科技大学,华南理工大学, 深圳欧陆通,上海中铨半导体有限公司,深圳市新能电力电子研究院,深圳市创新智慧港等。

感谢各位参加交流。                                                                                                                                                                                                                                     主题负责人:刘新科

深圳市新材料新能源产业发展研讨会
二零一七年十二月二十八日

 
 
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