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许望颖
职务:
职称: 讲师
分工:
办公电话: 26532013
EMAIL: wyxu@szu.edu.cn

教师简介

许望颖,博士,深圳大学材料学院,助理教授


个人简介:

许望颖,男,20157月博士毕业于香港中文大学电子工程系,随后在(香港政府成立之应用研发中心)纳米及先进材料研发院从事新型显示以及柔性电子关键材料与器件的研究和产业化工作。20165月加入深圳大学材料学院,任助理教授,深圳市海外高层次人才C类。长期致力于面向新型显示的氧化物薄膜晶体管研究,在ACS Appl. Mater. InterfacesJ. Mater. Chem. CAppl. Phys. Lett.Adv. Energy Mater.Adv. Funct. Mater.等国际知名期刊发表研究论文近20篇。研究成果被广泛引用,其中关于溶液法制备高迁移率氧化物薄膜晶体管的研究工作被该领域的权威专家E. Fortunato教授评价为2015年的标志性进展。

 

教育背景及工作经历:

2016.5–至今        深圳大学,材料学院,助理教授

2015.8–2016.5   (香港政府成立之应用研发中心)纳米及先进材料研发院,工程师

2012.82015.7    香港中文大学,电子工程,博士

2009.9–2012.7    中国科学院 宁波材料技术与工程研究所,材料物理与化学,硕士

2005.9–2009.7    浙江大学,材料科学与工程,学士

 

研究领域:

1. 新型氧化物半导体薄膜 (IGZO, CuOx, NiOx, SnOx等)
2. 高K氧化物介电薄膜(Al2O3, Ga2O3, ZrO2, La2O3等)
3. 基于溶液法工艺的氧化物薄膜晶体管
4. 溶液法制备氧化物薄膜及其在光电器件的应用


主持项目:

1. 2018-2020, 国家自然科学基金青年项目

2. 2017-2019广东省自然科学基金

3. 2017-2019深圳大学青年教师科研启动

4. 2016-2017深圳大学高水平建设经费


代表性论文:

In SZU

1.   Zhang J.Wen X.Hu L.Xu W.*Zhu D.*Cao P.Liu W.Han S.Liu X.Jia F.Zeng Y.Lu Y.C-Axis Oriented Crystalline IGZO Thin-Film Transistors by Magnetron SputteringJournal of Materials Chemistry C201752388~2396 (Corresponding author, IF=5.3, JCR1)

2.   Xu W.*Long M.Zhang T.Liang L.Cao H.Zhu D.Xu J.-B.*Fully Solution-Processed Metal Oxide Thin-Film Transistors via A Low Temperature Aqueous RouteCeramics International201743: 6130~6137 (Corresponding author, IF=2.8, JCR2)

3.   Long M.Zhang T.Xu W.Zeng X.Xie F.Li Q.Chen Z.Zhou F.Wong K.Yan K.Xu J.-B.*Large-Grain Formamidinium PbI3–xBrx for High-Performance Perovskite Solar Cells via Intermediate Halide ExchangeAdvanced Energy Materials20171601882IF=16.7, JCR1

4.   Liu X.*Wu J.Yu W.Chen L.Huang Z.Jiang H.He J.Liu Q.Lu Y.Zhu D.Liu W.Cao P.Han S.Xiong X.Xu W.Ao J.Ang K.He Z.Monolayer WxMo1−xS2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: Bandgap Engineering and Field Effect TransistorsAdvanced Functional Materials20171606469IF=12.1, JCR1

Before SZU:

5.   Xu W.Wang H.Xie F.Chen J.Cao H.Xu J.-B.*Facile and Environmentally Friendly Solution-Processed Aluminum Oxide Dielectric for Low-Temperature, High-Performance Oxide Thin-Film TransistorsACS Applied Materials & Interfaces201575803~5810IF=7.5, JCR1, citation>33

6.   Xu W.Cao H.Liang L.Xu J.-B.*Aqueous Solution-Deposited Gallium Oxide Dielectric for Low-Temperature, Low-Operating-Voltage Indium Oxide Thin-Film Transistors: A Facile Route to Green Oxide ElectronicsACS Applied Materials & Interfaces2015714720~14725IF=7.5, JCR1

7.   Xu W.Wang H.Ye L.Xu J.-B.*The Role of Solution-Processed High-k Gate Dielectrics in Electrical Performance of Oxide Thin-Film TransistorsJournal of Materials Chemistry C201425389~5396 IF=5.3, JCR1, citation>38

8.   Xu W.Liu D.Wang H.Ye L.Miao Q.Xu J.-B.*Facile Passivation of Solution-Processed InZnO Thin-Film Transistors by Octadecylphosphonic Acid Self-Assembled Monolayers at Room TemperatureApplied Physics Letters2014104173504 IF=3.4, JCR2

9.   Xu W.Dai M.Liang L.Liu Z.Sun X.Wan Q.Cao H.*Anomalous Bias-Stress-Induced Unstable Phenomena of InZnO Thin-Film Transistors Using Ta2O5 Gate DielectricJournal of Physics D: Applied Physics201245205103IF=2.6, JCR2

10.  Dai M.*Xu W.Polarization Mechanism and Quasi-Electric-Double-Layer Modeling for Indium-Tin-Oxide  Electric-Double-Layer Thin-Film-TransistorsApplied Physics Letters2012100113506 IF=3.4, JCR2

11.  Wang H.Xu W.Zhou S.Xie F.Xiao Y.Ye L.Chen J.Xu J.-B. (*)Oxygen Plasma Assisted High  Performance Solution-Processed Al2Ox Gate Insulator for Combustion-Processed InGaZnOx Thin Film  TransistorsJournal of Applied Physics2015117035703IF=2.1, JCR2

12.  Wang H.Sun T.Xu W.Xie F.Ye L.Xiao Y.Wang Y.Chen J.Xu J.-B.*Low-Temperature Facile  Solution-Processed Gate Dielectric for Combustion Derived Oxide Thin Film TransistorsRSC  Advances2014454729~54739IF=3.1, JCR2

13.  Wang H.Xiao Y.Chen Z.Xu W.Long M.Xu J.-B.*Solution-Processed PCDTBT Capped Low-Voltage  InGaZnOx Thin Film Phototransistors for Visible-Light DetectionApplied Physics Letters2015106242102IF=3.4, JCR2

14.  Ye L.Xu H.Yu H.Xu W.Li H.Wang H.Zhao N.Xu J.-B.*Ternary Bulk Heterojunction  Photovoltaic Cells Composed of Small Molecule Donor Additive as Cascade MaterialJournal of Physical  Chemistry C201411820094~20099IF=4.5, JCR2

15.  Liang L.Liu Z.Cao H.*Xu W.Sun X.Luo H.Cang K.The Structural, Optical and Electrical  Properties of Y-doped SnO Thin Films and Their p-type TFT ApplicationJournal of Physics D: Applied  Physics201245085101IF=2.6, JCR2

16.  Yu Z.Liang L.Liu Z.Xu W.Sun X.Cao H.*Effects of Sputtering Pressure and Post-Metallization  Annealing on the Physical Properties of Rf-Sputtered Y2O3 FilmsJournal of Alloys and  Compounds20115095810~5815IF=3.1, JCR1

 

研究人员招聘:

长期招收博士后及研究助理,欢迎具有材料、物理、化学、电子工程等相关研究背景的博士生硕士生、本科生申请,发送简历至wyxu@szu.edu.cn详情见如下链接:

http://muchong.com/t-11532644-1


联系方式:

办公电话:0755-26532013

电子邮箱:wyxu@szu.edu.cn

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